Форумы-->Форум для внеигровых тем-->
| Автор | Срочно нужна помощь электронщиков и микроэлектронщиков! |
|---|
Ситуация простая:в ходе курсовой работы разработал топологию ИМС.Теперь препод задает вопрос "Для чего на чертеже контактные площадки на кристалле,которые будут соединяться с ножками микросхемы,изолированы?".Выбрана p-n-изоляция.И дал наводящий вопрос "При каких условиях диод перестает быть диодом?",так как по сути у нас имеется диод (полупроводник-Ме).
Очень прошу писать по существу,завтра утром уже защищаться повторно. | | Извини, но вряд ли кто-либо тебе здесь поможет. | Напряжение выше напряжения пробоя диода.
Хотя так и микросхему прошьет скорее всего. Или диод используется как изоляция?
"Для чего на чертеже контактные площадки на кристалле,которые будут соединяться с ножками микросхемы,изолированы?"
Для этого наверно:
Приборы с изоляцией p-n переходом имеют более значительные паразитные элементы. Диэлектрическая изоляция позволяет существенно уменьшить паразитные емкости, что повышает быстродействие. Транзистор в ИС с изоляцией p-n переходом содержит паразитную тиристорную структуру, которая может привести к защелкиванию при воздействии переходных процессов и высоких уровнях напряжения. Полная диэлектрическая изоляция исключает подобные нежелательные эффекты, устраняет взаимовлияние между элементами схемы и обеспечивает повышенное пробивное напряжение. Поскольку все проблемы, связанные с паразитными элементами и генерацией зарядов в объеме полупроводника, обостряются с ростом температуры или при действии ионизирующего излучения, ИС с полной диэлектрической изоляцией компонентов в общем случае отличаются от обычных схем лучшими параметрами при высоких температурах или воздействии радиации. Диэлектрическая изоляция позволяет увеличить возможности снижения потребляемой мощности и повышения быстродействия при пониженном уровне напряжения питания ИС. Диэлектрическая изоляция компонентов на кристалле более компактна (по сравнению с изоляцией p-n переходом) и соответственно на всей площади кремниевой пластины занимает меньше места, что приводит к увеличению интегральной плотности элементов. Надежность диэлектрической изоляции компонентов существенно выше надежности изоляции p-n переходом. | | В дополнение.Предполагаю,что был задействован эпик-процесс.Из-за сессии и хронического недосыпа туплю не по-детски,так что не откажусь от любого здравого размышления на этот счет. | эпик-процесс.
Не. Это уже слишком специфично. вряд ли кто-либо тебе здесь поможет | для чего изоляция контактных площядок имс ,и прикаких условиях р-п переход в имс может перестать работать правильно.
не знаю какие там токи утечки но строить процессоры те надо запрятить. | | извини у меня ток диплом отделочника) | | Я не спец, но ведь если они не будут изолированы, то ЭИ будет проходить хаотично, что создаст нестабильность любого оборудования | | я думаю, что если не заизолировать, то электрика может током ударить. не? | для VolkFuhrer:
не знаю какие там токи утечки но строить процессоры те надо запрятить
Я сам не полезу в эту сферу,мне этот предмет поскольку-постольку.Я буду конструировать РЭА,а не ИМС.
для Arcanarius:
если они не будут изолированы, то ЭИ будет проходить хаотично, что создаст нестабильность любого оборудования
Здесь совсем другое,здесь нужно было объяснить сам физический процесс.
для ax4:
я думаю, что если не заизолировать, то электрика может током ударить
Электрик пусть лампочки вкручивает,а коллекторный ток в несколько микроампер ему вряд ли что сделают.
Всем спасибо за ответы!Верный ответ оказался прост,до которого я додумался утром на свежую голову.Курсач был защищен на тройку,но большего мне и не надо было.Если кому интересно,оглашаю.Изоляция выводов создается в виде примесей n+ типа,который со слоем n-типа создает омическое сопротивление и препятствует этому n-слою вместе с подложкой p-типа работать в качестве выпрямителя. | | тема закрыта by 73region (2011-01-28 15:22:31) |
|---|
К списку тем
|
